1310nm SOA
描述
SOA 半导体光放大器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱结构设计，掩埋异质结工艺，输入/输出端面上均镀有抗反膜。该系列芯片具有高增益（光放大增益大于16dB）、高饱和输出功率（典型值7dBm）、高ASE谱宽、低噪声指数NF和低偏振相关特性，主要应用在光网络中的前置放大和线路放大产品。