1310nm LP SLD
描述
1310nm LP SLD 半导体超辐射发光二极管芯片采用InGaAsP材料，多量子阱结构设计，异质结掩埋工艺。该系列芯片主要应用于光纤陀螺，光学相干层析成像技术(Optical Coherent Tomograpgy, OCT)，光学测试仪器，光纤通信等产品。